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单MOSFET晶体管 / DMN2501UFB4-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.60842 1+
- ￥ 2.46078 10+
- ￥ 2.32149 100+
- ￥ 2.19008 500+
- ￥ 2.06612 1000+
- 型号： DMN2501UFB4-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 14710
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.60842
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：40.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：6.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：400m Ω @ 600mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：82pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2nC @ 10V
- 上升时间：6.4ns
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：17.3 ns
- 连续放电电流(ID)：1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：20V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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