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单MOSFET晶体管 / STF42N65M5
- 价格 起订量
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- ￥ 53.34562 10+
- ￥ 50.32606 100+
- ￥ 47.47741 500+
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- 型号： STF42N65M5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： STMICROELECTRONICS STF42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 56.54636
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：65 ns
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Number of Elements：1
- 系列：MDmesh™ V
- 包装：Tube
- 操作温度：150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：79MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 基本部件号：STF42N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：40W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：61 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：79m Ω @ 16.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4650pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：100nC @ 10V
- 上升时间：24ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：33A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 雪崩能量等级（Eas）：950 mJ
- 宽度：4.6mm
- 长度：10.4mm
- 高度：9.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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