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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD9N60M2
- 价格 起订量
- ￥ 10.87802 1+
- ￥ 10.26229 10+
- ￥ 9.68140 100+
- ￥ 9.13340 500+
- ￥ 8.61641 1000+
- 型号： STD9N60M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
- 库存地点： 内地
- 库存： 3389
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.87802
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：22 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：MDmesh™ II Plus
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：780mOhm
- 基本部件号：STD9N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：60W
- 接通延迟时间：8.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：780m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：320pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 上升时间：7.5ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：13.5 ns
- 连续放电电流(ID)：5.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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