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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / RT1A040ZPTR
- 价格 起订量
- ￥ 2.67701 1+
- ￥ 2.52548 10+
- ￥ 2.38253 100+
- ￥ 2.24767 500+
- ￥ 2.12045 1000+
- 型号： RT1A040ZPTR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
- 库存地点： 内地
- 库存： 657
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.67701
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：380 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：30MOhm
- 端子表面处理：锡铜
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.25W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：8
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.25W
- 接通延迟时间：11 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：70ns
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：70 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏源击穿电压：12V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16A
- 输入电容：2.35nF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：30mOhm
- 最大rds：30 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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