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单MOSFET晶体管 / ZXMN2A02N8TA
- 价格 起订量
- ￥ 14.55357 1+
- ￥ 13.72978 10+
- ￥ 12.95262 100+
- ￥ 12.21946 500+
- ￥ 11.52779 1000+
- 型号： ZXMN2A02N8TA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 20V N Chnl UMOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 6500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.55357
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：73.992255mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.56W Ta
- Turn Off Delay Time：33.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：20mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：低阈值
- 电压 - 额定直流：20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：10.2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：7.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 11A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1900pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18.9nC @ 4.5V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：10.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：50A
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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