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单MOSFET晶体管 / STF130N10F3
- 价格 起订量
- ￥ 29.58318 1+
- ￥ 27.90866 10+
- ￥ 26.32892 100+
- ￥ 24.83860 500+
- ￥ 23.43265 1000+
- 型号： STF130N10F3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 29.58318
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：52 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：46A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：STripFET™ III
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：9.6MOhm
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：SINGLE
- 基本部件号：STF13
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：35W
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9.6m Ω @ 23A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3305pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：57nC @ 10V
- 上升时间：38ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：7.2 ns
- 连续放电电流(ID)：46A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：184A
- 雪崩能量等级（Eas）：125 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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