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单MOSFET晶体管 / IRLM220ATF
- 价格 起订量
- ￥ 2.78923 1+
- ￥ 2.63135 10+
- ￥ 2.48241 100+
- ￥ 2.34189 500+
- ￥ 2.20933 1000+
- 型号： IRLM220ATF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 200V 1.13A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 29419
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.78923
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 质量：188mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.13A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W Tc
- Turn Off Delay Time：6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：800m Ω @ 570mA, 5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：430pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 5V
- 上升时间：24ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：1.13A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.8Ohm
- 漏源击穿电压：200V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：9A
- 雪崩能量等级（Eas）：29 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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