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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STH310N10F7-6
- 价格 起订量
- ￥ 42.39326 1+
- ￥ 39.99364 10+
- ￥ 37.72985 100+
- ￥ 35.59420 500+
- ￥ 33.57943 1000+
- 型号： STH310N10F7-6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 42.39326
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：315W Tc
- Turn Off Delay Time：148 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VII
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：超低电阻
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STH310
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：315W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：62 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5m Ω @ 60A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：12800pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：180nC @ 10V
- 上升时间：108ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：40 ns
- 连续放电电流(ID)：180A
- 阈值电压：3.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：120A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0025Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 高度：4.8mm
- 长度：15.25mm
- 宽度：10.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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