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单MOSFET晶体管 / STD100N10F7
- 价格 起订量
- ￥ 18.37395 1+
- ￥ 17.33392 10+
- ￥ 16.35275 100+
- ￥ 15.42712 500+
- ￥ 14.55389 1000+
- 型号： STD100N10F7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD100N10F7
- 库存地点： 内地
- 库存： 50000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.37395
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：120W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VII
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：8MOhm
- HTS代码：8541.29.00.95
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 基本部件号：STD10
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：120W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：27 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4369pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：61nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：80A
- 阈值电压：4.5V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 雪崩能量等级（Eas）：400 mJ
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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