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单MOSFET晶体管 / BSO083N03MSGXUMA1
- 价格 起订量
- ￥ 8.37334 1+
- ￥ 7.89938 10+
- ￥ 7.45225 100+
- ￥ 7.03042 500+
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- 型号： BSO083N03MSGXUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 1745
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.37334
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.56W Ta
- Turn Off Delay Time：11.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2011
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.56W
- 接通延迟时间：9.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.3m Ω @ 14A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2100pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：27nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.4 ns
- 连续放电电流(ID)：11A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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