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单MOSFET晶体管 / STR2P3LLH6
- 价格 起订量
- ￥ 4.92967 1+
- ￥ 4.65063 10+
- ￥ 4.38739 100+
- ￥ 4.13905 500+
- ￥ 3.90476 1000+
- 型号： STR2P3LLH6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.92967
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 制造商包装标识符：SOT-23-8162275_998G
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：350mW Tc
- Turn Off Delay Time：19.2 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：STripFET™ H6
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STR2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：350mW
- 接通延迟时间：5.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：56m Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：639pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：-2A
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：1.25mm
- 长度：3.04mm
- 宽度：1.75mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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