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单MOSFET晶体管 / STP6N65M2
- 价格 起订量
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- 型号： STP6N65M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： STMICROELECTRONICS STP6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：329.988449mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：6.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STP6N
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.35 Ω @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：226pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.8nC @ 10V
- 上升时间：7ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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