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单MOSFET晶体管 / STF10NM60ND
- 价格 起订量
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- ￥ 16.20922 10+
- ￥ 15.29171 100+
- ￥ 14.42615 500+
- ￥ 13.60957 1000+
- 型号： STF10NM60ND
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP
- 库存地点： 内地
- 库存： 33500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.18177
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：FDmesh™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：550MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 基本部件号：STF10N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：25W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：9.2 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：550m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：540pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：9.8 ns
- 连续放电电流(ID)：8A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8A
- 漏源击穿电压：650V
- 高度：16.4mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：4.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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