简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCP650N80Z
- 价格 起订量
- ￥ 22.58611 1+
- ￥ 21.30765 10+
- ￥ 20.10156 100+
- ￥ 18.96374 500+
- ￥ 17.89032 1000+
- 型号： FCP650N80Z
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP650N80Z Power MOSFET, N Channel, 10 A, 800 V, 0.53 ohm, 10 V, 4.5 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 22.58611
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：162W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SuperFET® II
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.29.00.95
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：650m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 800μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1565pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：800V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：10A
- 阈值电压：4.5V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FCP650N80Z ON Semiconductor
STP12NK80Z STMicroelectronics- STP13NK60Z STMicroelectronics
- FDP12N60NZ ON Semiconductor
- FCP850N80Z ON Semiconductor
