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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQP6N90C
- 价格 起订量
- ￥ 18.80177 1+
- ￥ 17.73752 10+
- ￥ 16.73351 100+
- ￥ 15.78633 500+
- ￥ 14.89276 1000+
- 型号： FQP6N90C
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- 库存地点： 内地
- 库存： 89600
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.80177
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：167W Tc
- Turn Off Delay Time：55 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：2.3Ohm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：900V
- 额定电流：6A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：167W
- 接通延迟时间：35 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.3 Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1770pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：40nC @ 10V
- 上升时间：90ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：60 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 阈值电压：5V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：900V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：24A
- 双电源电压：900V
- 雪崩能量等级（Eas）：650 mJ
- 栅源电压：5 V
- 高度：9.4mm
- 长度：10.1mm
- 宽度：4.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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