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单MOSFET晶体管 / IRFB31N20DPBF
- 价格 起订量
- ￥ 29.97609 1+
- ￥ 28.27933 10+
- ￥ 26.67861 100+
- ￥ 25.16850 500+
- ￥ 23.74387 1000+
- 型号： IRFB31N20DPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.082 Ohm; Id 31A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs /-30V
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 29.97609
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：31A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.1W Ta 200W Tc
- Turn Off Delay Time：26 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1998
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：82mOhm
- 电压 - 额定直流：200V
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：250
- 额定电流：31A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：82m Ω @ 18A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2370pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：107nC @ 10V
- 上升时间：38ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：31A
- 阈值电压：5.5V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：200V
- 双电源电压：200V
- 雪崩能量等级（Eas）：420 mJ
- 恢复时间：300 ns
- 栅源电压：5.5 V
- 高度：8.763mm
- 长度：10.5156mm
- 宽度：4.69mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：Contains Lead, Lead Free
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