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单MOSFET晶体管 / STF7N80K5
- 价格 起订量
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- ￥ 14.92512 1000+
- 型号： STF7N80K5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A SuperMESH 5
- 库存地点： 内地
- 库存： 24312
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.84262
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：25W Tc
- Turn Off Delay Time：23.7 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SuperMESH5™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STF7N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：25W
- 接通延迟时间：11.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2 Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：360pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13.4nC @ 10V
- 上升时间：8.3ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：22.2 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：800V
- 高度：16.4mm
- 长度：10.6mm
- 宽度：4.6mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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