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单MOSFET晶体管 / MCH3375-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 4.01661 1+
- ￥ 3.78926 10+
- ￥ 3.57477 100+
- ￥ 3.37243 500+
- ￥ 3.18153 1000+
- 型号： MCH3375-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
- 库存地点： 内地
- 库存： 485681
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.01661
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, Flat Lead
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：800mW Ta
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：295m Ω @ 800mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：82pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.2nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：1.6A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.295Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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