简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMT6009LCT
- 价格 起订量
- ￥ 9.00316 1+
- ￥ 8.49355 10+
- ￥ 8.01278 100+
- ￥ 7.55923 500+
- ￥ 7.13135 1000+
- 型号： DMT6009LCT
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.00316
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：TO-220AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：37.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.2W Ta 25W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2016
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12mOhm @ 13.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1925pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33.5nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：37.2A
- 输入电容：1.925nF
- 最大rds：12 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMT6009LCT Diodes Incorporated
IPP45N06S409AKSA1 Infineon Technologies
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies- IPP120N06NGAKSA1 Infineon Technologies
IRFB3507PBF Infineon Technologies
