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单MOSFET晶体管 / NTD4858N-35G
- 价格 起订量
- ￥ 8.56911 1+
- ￥ 8.08407 10+
- ￥ 7.62648 100+
- ￥ 7.19479 500+
- ￥ 6.78754 1000+
- 型号： NTD4858N-35G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 38658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.56911
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.2A Ta 73A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.3W Ta 54.5W Tc
- Turn Off Delay Time：23.8 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.2m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1563pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.2nC @ 4.5V
- 上升时间：17.3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.8 ns
- 连续放电电流(ID)：13.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：25V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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