简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / 2SJ661-DL-1E
- 价格 起订量
- ￥ 16.58998 1+
- ￥ 15.65092 10+
- ￥ 14.76502 100+
- ￥ 13.92926 500+
- ￥ 13.14081 1000+
- 型号： 2SJ661-DL-1E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
- 库存地点： 内地
- 库存： 18658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.58998
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：38A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.65W Ta 65W Tc
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- Reach合规守则：not_compliant
- 通道数量：1
- 功率耗散：1.65W
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：39m Ω @ 19A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4360pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：38A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-4V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SJ661-DL-1E ON Semiconductor
AUIRFS3806 Infineon Technologies- IPB45N06S409ATMA2 Infineon Technologies
FDB20AN06A0 ON Semiconductor
