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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD6N80K5
- 价格 起订量
- ￥ 17.49088 1+
- ￥ 16.50083 10+
- ￥ 15.56682 100+
- ￥ 14.68568 500+
- ￥ 13.85441 1000+
- 型号： STD6N80K5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.49088
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 制造商包装标识符：DPAK-0068772_type-E
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Turn Off Delay Time：28.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：SuperMESH5™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD6N
- 通道数量：1
- 功率耗散：85W
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.6 Ω @ 2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：255pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：30V
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：800V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：2.52mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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