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单MOSFET晶体管 / DMN3016LK3-13
- 价格 起订量
- ￥ 4.69987 1+
- ￥ 4.43384 10+
- ￥ 4.18286 100+
- ￥ 3.94610 500+
- ￥ 3.72273 1000+
- 型号： DMN3016LK3-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.69987
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：26.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电容量：1.415nF
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：4.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12m Ω @ 11A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1415pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：25.1nC @ 10V
- 上升时间：16.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.6 ns
- 连续放电电流(ID)：12.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 高度：2.29mm
- 长度：6.1mm
- 宽度：6.58mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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