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单MOSFET晶体管 / CSD13306W
- 价格 起订量
- ￥ 4.35579 1+
- ￥ 4.10923 10+
- ￥ 3.87664 100+
- ￥ 3.65720 500+
- ￥ 3.45019 1000+
- 型号： CSD13306W
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-UFBGA, DSBGA
- 描述： MOSFET N-CH 12V 3.5A
- 库存地点： 内地
- 库存： 21000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.35579
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UFBGA, DSBGA
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.9W Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.3V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 基本部件号：CSD13306
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10.2m Ω @ 1.5A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1370pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.2nC @ 4.5V
- 上升时间：11ns
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：3.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0155Ohm
- DS 击穿电压-最小值：12V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：294 pF
- 高度：1mm
- 长度：1.5mm
- 宽度：1.8mm
- 器件厚度：2mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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