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单MOSFET晶体管 / RT1E040RPTR
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RT1E040RPTR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
- 库存地点： 内地
- 库存： 50000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：550mW Ta
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2012
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-F8
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1000pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：4A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.045Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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