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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDD8874
- 价格 起订量
- ￥ 12.73575 1+
- ￥ 12.01486 10+
- ￥ 11.33477 100+
- ￥ 10.69318 500+
- ￥ 10.08791 1000+
- 型号： FDD8874
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3
- 描述： MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 38
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.73575
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：110W
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：116A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：110W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：96ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：116A
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：2.99nF
- 雪崩能量等级（Eas）：240 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：5.1mOhm
- 最大rds：5.1 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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