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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB30NF20L
- 价格 起订量
- ￥ 18.72396 1+
- ￥ 17.66411 10+
- ￥ 16.66426 100+
- ￥ 15.72100 500+
- ￥ 14.83113 1000+
- 型号： STB30NF20L
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Trans MOSFET N-CH 200V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.72396
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：68 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STB30N
- 功率耗散：150W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：75m Ω @ 15A, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1990pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：65nC @ 10V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：14 ns
- 连续放电电流(ID)：30A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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