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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB170NF04
- 价格 起订量
- ￥ 25.46497 1+
- ￥ 24.02355 10+
- ￥ 22.66373 100+
- ￥ 21.38088 500+
- ￥ 20.17064 1000+
- 型号： STB170NF04
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 406
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 25.46497
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：D2PAK
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ II
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：STB170N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：26 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5mOhm @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：170nC @ 10V
- 上升时间：57ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：66 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 输入电容：9nF
- 漏源电阻：5mOhm
- 最大rds：5 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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