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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD11NM60ND
- 价格 起订量
- ￥ 28.88537 1+
- ￥ 27.25035 10+
- ￥ 25.70788 100+
- ￥ 24.25272 500+
- ￥ 22.87992 1000+
- 型号： STD11NM60ND
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
- 库存地点： 内地
- 库存： 3956
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 28.88537
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：FDmesh™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：450mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STD11
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：90W
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：450m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：850pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30nC @ 10V
- 上升时间：7ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：9 ns
- 连续放电电流(ID)：10A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：40A
- 雪崩能量等级（Eas）：200 mJ
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：4 V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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