简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRLML2030TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 2.26561 1+
- ￥ 2.13737 10+
- ￥ 2.01639 100+
- ￥ 1.90225 500+
- ￥ 1.79458 1000+
- 型号： IRLML2030TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 120000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.26561
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.3W Ta
- Turn Off Delay Time：4.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.3W
- 接通延迟时间：4.1 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 2.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：110pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1nC @ 4.5V
- 上升时间：3.3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.9 ns
- 连续放电电流(ID)：2.7A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：11A
- 恢复时间：14 ns
- 栅源电压：1.7 V
- 高度：1.016mm
- 长度：3.0226mm
- 宽度：1.397mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRLML2030TRPBF Infineon Technologies- IRLML6346TRPBF Infineon Technologies
- IRLML5203TRPBF Infineon Technologies
- IRLML9303TRPBF Infineon Technologies
DMP3068L-7 Diodes Incorporated
