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单MOSFET晶体管 / BSS806NH6327XTSA1
- 价格 起订量
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- ￥ 2.29863 10+
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- ￥ 2.04577 500+
- ￥ 1.92997 1000+
- 型号： BSS806NH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 21615
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.43655
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 2.5V
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2011
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：7.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：57mOhm @ 2.3A, 2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：529pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.7nC @ 2.5V
- 上升时间：9.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 连续放电电流(ID)：2.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大双电源电压：20V
- 输入电容：370pF
- 漏源电阻：41mOhm
- 最大rds：57 mΩ
- 高度：1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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