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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB45N65M5
- 价格 起订量
- ￥ 73.97375 1+
- ￥ 69.78655 10+
- ￥ 65.83637 100+
- ￥ 62.10978 500+
- ￥ 58.59414 1000+
- 型号： STB45N65M5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 6
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 73.97375
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：D2Pak
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：210W Tc
- Turn Off Delay Time：79.5 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MDmesh™ V
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：78mOhm
- 附加功能：超低电阻
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 基本部件号：STB45N
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：210W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：78m Ω @ 19.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3375pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：91nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 连续放电电流(ID)：35A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：4.6mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：9.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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