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单MOSFET晶体管 / FDB0190N807L
- 价格 起订量
- ￥ 64.47478 1+
- ￥ 60.82526 10+
- ￥ 57.38232 100+
- ￥ 54.13427 500+
- ￥ 51.07006 1000+
- 型号： FDB0190N807L
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0190N807L MOSFET Transistor, N Channel, 270 A, 80 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 64.47478
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 质量：1.312g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：270A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：8V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 250W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.7m Ω @ 34A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：19110pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：249nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：80V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：270A
- 阈值电压：2.9V
- JEDEC-95代码：TO-263CB
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：1440A
- DS 击穿电压-最小值：80V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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