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单MOSFET晶体管 / STH320N4F6-6
- 价格 起订量
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- ￥ 87.25950 500+
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- 型号： STH320N4F6-6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 8-Pin H2PAK STMicroelectronics STH320N4F6-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 103.92746
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：190 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STH320
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：28 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.3m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13800pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：240nC @ 10V
- 上升时间：98ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：95 ns
- 连续放电电流(ID)：200A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 高度：4.8mm
- 长度：15.25mm
- 宽度：10.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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