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单MOSFET晶体管 / STB36NM60ND
- 价格 起订量
- ￥ 47.55081 1+
- ￥ 44.85925 10+
- ￥ 42.32005 100+
- ￥ 39.92457 500+
- ￥ 37.66469 1000+
- 型号： STB36NM60ND
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 47.55081
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：111 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：110mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STB36N
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：190W
- 接通延迟时间：30 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 14.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2785pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80.4nC @ 10V
- 上升时间：53.4ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：61.8 ns
- 连续放电电流(ID)：29A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：650V
- 高度：4.6mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：9.35mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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