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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCB110N65F
- 价格 起订量
- ￥ 43.08396 1+
- ￥ 40.64525 10+
- ￥ 38.34457 100+
- ￥ 36.17412 500+
- ￥ 34.12653 1000+
- 型号： FCB110N65F
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 50
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 43.08396
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 质量：1.31247g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：89 ns
- Power Dissipation (Max)：357W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A Tc
- 系列：FRFET®, SuperFET® II
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：31 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 17.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 3.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4895pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：145nC @ 10V
- 上升时间：21ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.7 ns
- 连续放电电流(ID)：35A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.11Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：105A
- DS 击穿电压-最小值：650V
- 雪崩能量等级（Eas）：809 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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