简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STS5N15F4
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： STS5N15F4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-channel 150 V StripFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 3598
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W Tc
- Turn Off Delay Time：39.7 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 基本部件号：STS5N
- 引脚数量：8
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：13.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：63m Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2710pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：48nC @ 10V
- 上升时间：5.1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：11.4 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.063Ohm
- 漏源击穿电压：150V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
