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单MOSFET晶体管 / STD16N60M2
- 价格 起订量
- ￥ 13.09633 1+
- ￥ 12.35502 10+
- ￥ 11.65568 100+
- ￥ 10.99593 500+
- ￥ 10.37352 1000+
- 型号： STD16N60M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 150000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.09633
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：58 ns
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- 系列：MDmesh™ M2
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD16
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：10.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：320m Ω @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：700pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 连续放电电流(ID)：12A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 宽度：6.2mm
- 长度：6.6mm
- 高度：2.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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