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单MOSFET晶体管 / STD25N10F7
- 价格 起订量
- ￥ 9.48278 1+
- ￥ 8.94602 10+
- ￥ 8.43964 100+
- ￥ 7.96193 500+
- ￥ 7.51125 1000+
- 型号： STD25N10F7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.48278
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：14.8 ns
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VII
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STD25N
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：9.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：35m Ω @ 12.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：920pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14nC @ 10V
- 上升时间：14ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4.6 ns
- 连续放电电流(ID)：25A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 宽度：6.2mm
- 长度：6.6mm
- 高度：2.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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