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单MOSFET晶体管 / SPB100N03S203T

  • 价格 起订量
  • ¥ 10.38899 1+
  • ¥ 9.80093 10+
  • ¥ 9.24616 100+
  • ¥ 8.72280 500+
  • ¥ 8.22905 1000+
  • 型号: SPB100N03S203T
  • 厂商: Infineon Technologies
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 描述: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 4921
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 10.38899

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商器件包装:PG-TO263-3-2
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:100A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Power Dissipation (Max):300W Tc
  • 操作温度:-55°C~175°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 系列:OptiMOS™
  • 已出版:2003
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 电压 - 额定直流:30V
  • 额定电流:100A
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:3mOhm @ 80A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:7020pF @ 25V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:150nC @ 10V
  • 上升时间:40ns
  • 漏源电压 (Vdss):30V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 连续放电电流(ID):100A
  • 输入电容:7.02nF
  • 最大rds:3 mΩ
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅

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