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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / SPD08N50C3ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 17.10229 1+
- ￥ 16.13424 10+
- ￥ 15.22098 100+
- ￥ 14.35941 500+
- ￥ 13.54662 1000+
- 型号： SPD08N50C3ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.10229
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO252-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：83W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2005
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：560V
- 额定电流：7.6A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：83W
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：600mOhm @ 4.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 350μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：750pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：32nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：7 ns
- 连续放电电流(ID)：7.6A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：500V
- 双电源电压：560V
- 输入电容：750pF
- 漏源电阻：600mOhm
- 最大rds：600 mΩ
- 栅源电压：3 V
- 高度：2.41mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.22mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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