简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF6618TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 18.90141 1+
- ￥ 17.83152 10+
- ￥ 16.82219 100+
- ￥ 15.86999 500+
- ￥ 14.97169 1000+
- 型号： IRF6618TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MT
- 描述： MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 3712
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.90141
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MT
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Ta 170A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 89W Tc
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：2.2MOhm
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 额定直流：30V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：30A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-XBCC-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：89W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：21 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.2m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5640pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：65nC @ 4.5V
- 上升时间：71ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8.1 ns
- 连续放电电流(ID)：170mA
- 阈值电压：1.64V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：29A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：240A
- 高度：508μm
- 长度：6.35mm
- 宽度：5.0546mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRF6618TRPBF Infineon Technologies
STL150N3LLH5 STMicroelectronics
IRF6727MTRPBF Infineon Technologies- IRF6725MTRPBF Infineon Technologies
- IRF6635TRPBF Infineon Technologies
