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单MOSFET晶体管 / IRF6668TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 15.52805 100+
- ￥ 14.64911 500+
- ￥ 13.81991 1000+
- 型号： IRF6668TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric MZ
- 描述： Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE
- 库存地点： 内地
- 库存： 931367
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.44732
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric MZ
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 89W Tc
- Turn Off Delay Time：7.1 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 电压 - 额定直流：80V
- 端子位置：BOTTOM
- 额定电流：55A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：89W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15m Ω @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1320pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31nC @ 10V
- 上升时间：13ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：23 ns
- 连续放电电流(ID)：55mA
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.015Ohm
- 漏源击穿电压：80V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：170A
- 雪崩能量等级（Eas）：24 mJ
- 高度：533.4μm
- 长度：6.35mm
- 宽度：5.0546mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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