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单MOSFET晶体管 / MCH3481-TL-W
- 价格 起订量
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- 型号： MCH3481-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
- 库存地点： 内地
- 库存： 650
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, Flat Lead
- 引脚数：70
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.2V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：800mW Ta
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：6.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：104m Ω @ 1A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：175pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.9nC @ 4.5V
- 上升时间：27ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±9V
- 下降时间（典型值）：19 ns
- 连续放电电流(ID)：2A
- 阈值电压：900mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：9V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.104Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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