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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC0310AS
- 价格 起订量
- ￥ 5.13648 1+
- ￥ 4.84573 10+
- ￥ 4.57145 100+
- ￥ 4.31269 500+
- ￥ 4.06857 1000+
- 型号： FDMC0310AS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.13648
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：165.33333mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Ta 21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.4W Ta 36W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.4W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.4m Ω @ 19A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3165pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：52nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：21A
- JEDEC-95代码：MO-240AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0043Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：33 mJ
- 高度：800μm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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