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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STN3P6F6
- 价格 起订量
- ￥ 7.89752 1+
- ￥ 7.45049 10+
- ￥ 7.02876 100+
- ￥ 6.63091 500+
- ￥ 6.25557 1000+
- 型号： STN3P6F6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET P-CH 60V SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 44000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.89752
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.6W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VI
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：130MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- 基本部件号：STN3P
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.6W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：6.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：160m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：340pF @ 48V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.4nC @ 10V
- 上升时间：5.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：3.7 ns
- 连续放电电流(ID)：-3A
- 阈值电压：-4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3A
- 漏源击穿电压：-60V
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 高度：1.9mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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