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单MOSFET晶体管 / DMT6009LK3-13
- 价格 起订量
- ￥ 8.84627 1+
- ￥ 8.34553 10+
- ￥ 7.87315 100+
- ￥ 7.42750 500+
- ￥ 7.00707 1000+
- 型号： DMT6009LK3-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.84627
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13.3A Ta 57A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.6W Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 13.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1925pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33.5nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：57A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：13.3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.01Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：90A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：20.6 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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