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单MOSFET晶体管 / DMN32D2LFB4-7
- 价格 起订量
- ￥ 4.41373 1+
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- ￥ 3.70585 500+
- ￥ 3.49608 1000+
- 型号： DMN32D2LFB4-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.41373
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：350mW Ta
- Turn Off Delay Time：51 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：1.2Ohm
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：350mW
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2 Ω @ 100mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：39pF @ 3V
- Vgs（最大值）：±10V
- 连续放电电流(ID)：300mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：30V
- 高度：350μm
- 长度：1mm
- 宽度：600μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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