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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STP22NM60N
- 价格 起订量
- ￥ 27.83917 1+
- ￥ 26.26337 10+
- ￥ 24.77676 100+
- ￥ 23.37430 500+
- ￥ 22.05123 1000+
- 型号： STP22NM60N
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.83917
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：74 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™ II
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：220mOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：STP22N
- 功率耗散：125W
- 接通延迟时间：11 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：220mOhm @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1300pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：44nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：38 ns
- 连续放电电流(ID)：16A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 输入电容：1.3nF
- 漏源电阻：200mOhm
- 最大rds：220 mΩ
- 高度：15.75mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：4.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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