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单MOSFET晶体管 / STD5N52K3

  • 价格 起订量
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  • 型号: STD5N52K3
  • 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 描述: STMICROELECTRONICS STD5N52K3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 22976
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 10.71411

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
  • 工厂交货时间:12 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:4.4A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Number of Elements:1
  • Power Dissipation (Max):70W Tc
  • Turn Off Delay Time:29 ns
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 系列:SuperMESH3™
  • JESD-609代码:e3
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:2
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电阻:1.5Ohm
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn) - annealed
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • 基本部件号:STD5N
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PSSO-G2
  • 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率耗散:70W
  • 接通延迟时间:9 ns
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ω @ 2.2A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:545pF @ 100V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:17nC @ 10V
  • 上升时间:11ns
  • Vgs(最大值):±30V
  • 下降时间(典型值):16 ns
  • 连续放电电流(ID):4.4A
  • 阈值电压:3.75V
  • 栅极至源极电压(Vgs):30V
  • 漏源击穿电压:525V
  • 高度:2.4mm
  • 长度:6.6mm
  • 宽度:6.2mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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